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FET，MOSFET - 单个
SI2325DS-T1-E3参考图片

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SI2325DS-T1-E3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
TrenchFET®
零件状态
有源
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
530mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
1.2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
12nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
510pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
750mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
商品其它信息
优势价格，SI2325DS-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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