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TPN2010FNH,L1Q参考图片

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TPN2010FNH,L1Q

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
批号:最新
描述:MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
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参数信息

参数	参数值
包装	Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列	U-MOSVIII-H
零件状态	有源
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	250V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	5.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	198 毫欧 @ 2.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	7nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	600pF @ 100V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	700mW（Ta），39W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-TSON Advance（3.3x3.3）
封装/外壳	8-PowerVDFN

商品其它信息

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