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FET，MOSFET - 单个
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NVBG020N090SC1

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • SIC MOS D2PAK 7L 20MOHM
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
900V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9.8A（Ta），112A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
28 毫欧 @ 60A，15V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.3V @ 20mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
200nC @ 15V
Vgs（最大值）
+19V，-10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4415pF @ 450V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.7W（Ta），477W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK-7
封装/外壳
TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
商品其它信息
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