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FET，MOSFET - 单个
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APT20M18B2VRG

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
POWER MOS V®
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
100A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
18 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
330nC @ 10V
Vgs（最大值）
330nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
9880pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
T-MAX™ [B2]
封装/外壳
TO-247-3 变式
商品其它信息
优势价格，APT20M18B2VRG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HUF76419P3
ON Semiconductor
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MOSFET N-CH 60V 29A TO-220AB
暂无价格
参考库存:57273
NTD3055L104G
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MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
暂无价格
参考库存:57297
NTD4809NH-35G
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暂无价格
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FDMS8670
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MOSFET N-CH 30V 24A POWER56
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FQI5N40TU
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MOSFET N-CH 400V 4.5A I2PAK
暂无价格
参考库存:57321
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