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FET,MOSFET - 单个
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EPC2012

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  • GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
eGaN®
零件状态
Digi-Key 停产
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
100 毫欧 @ 3A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
1.8nC @ 5V
Vgs(最大值)
+6V,-5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
145pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
-
工作温度
-40°C ~ 125°C (TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
模具
封装/外壳
模具
商品其它信息
优势价格,EPC2012的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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