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FET，MOSFET - 射频
A2G26H281-04SR3参考图片

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A2G26H281-04SR3

  • NXP USA Inc.
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  • AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
LDMOS
频率
2.496GHz ~ 2.69GHz
增益
14.2dB
电压 - 测试
48V
额定电流（安培）
-
噪声系数
-
电流 - 测试
150mA
功率 - 输出
50W
电压 - 额定
125V
封装/外壳
NI-780S-4L
供应商器件封装
NI-780S-4L
商品其它信息
优势价格，A2G26H281-04SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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