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FET，MOSFET - 射频
PD20015S-E参考图片

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PD20015S-E

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
晶体管类型
LDMOS
频率
2GHz
增益
11dB
电压 - 测试
13.6V
额定电流（安培）
7A
噪声系数
-
电流 - 测试
350mA
功率 - 输出
15W
电压 - 额定
40V
封装/外壳
PowerSO-10 裸露底部焊盘
供应商器件封装
PowerSO-10RF（直引线）
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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