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FET，MOSFET - 阵列
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CJ3139KDW-G

  • Comchip Technology
  • 最新
  • MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
660mA（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
520 毫欧 @ 1A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
170pF @ 16V
功率 - 最大值
150mW
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SOT-363
商品其它信息
优势价格，CJ3139KDW-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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