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FET，MOSFET - 阵列
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CSD86350Q5DT

  • Texas Instruments
  • 最新
  • 25V POWERBLOCK N CH MOSFET
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
40A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
5 毫欧 @ 25A，5V，1.1 毫欧 @ 25A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 250µA，1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
10.7nC，25nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1870pF，4000pF @ 12.5V
功率 - 最大值
13W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerLDFN
供应商器件封装
8-LSON（5x6）
商品其它信息
优势价格，CSD86350Q5DT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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