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FET,MOSFET - 阵列
SI7288DP-T1-GE3参考图片

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SI7288DP-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
TrenchFET®
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道(双)
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
20A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
19 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
565pF @ 20V
功率 - 最大值
15.6W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 双
商品其它信息
优势价格,SI7288DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 阵列
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