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FET，MOSFET - 阵列
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BSO211PNTMA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
OptiMOS™
零件状态
停產
FET 类型
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4.7A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
67 毫欧 @ 4.7A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
23.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
920pF @ 15V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
P-DSO-8
商品其它信息
优势价格，BSO211PNTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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