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FET，MOSFET - 阵列

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SQJ942EP-T1_GE3

  • Vishay Siliconix
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  • MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET®
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
15A (Tc), 45A (Tc)
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
22 毫欧 @ 7.8A, 10V, 11 毫欧 @ 10.1A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
809pF @ 20V, 1451pF @ 20V
功率 - 最大值
17W, 48W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
商品其它信息
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