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FET,MOSFET - 阵列

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FMP76-01T

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N/P-CH
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 和 P 沟道,共漏
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
54A(Tc),62A(Tc)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
24 毫欧 @ 38A,10V,11 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA,4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
197nC @ 10V,104nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1370pF @ 25V,5080pF @ 25V
功率 - 最大值
89W,132W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
ISOPLUSi5-Pak™
供应商器件封装
ISOPLUS i4-PAC™
商品其它信息
优势价格,FMP76-01T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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