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FET，MOSFET - 阵列
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EPC2100ENGRT

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  • GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
eGaN®
零件状态
Digi-Key 停产
FET 类型
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A（Ta），40A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
4.9nC @ 15V，19nC @ 15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
475pF @ 15V，1960pF @ 15V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
模具
供应商器件封装
模具
商品其它信息
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