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FET，MOSFET - 阵列
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APTMC120AM08CD3AG

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
碳化硅 （SiC）
漏源电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
250A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
10 毫欧 @ 200A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 10mA（标准）
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
490nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
9500pF @ 1000V
功率 - 最大值
1100W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
D-3 模块
供应商器件封装
D3
商品其它信息
优势价格，APTMC120AM08CD3AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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