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FET，MOSFET - 阵列
SI9936DY,518参考图片

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SI9936DY,518

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
TrenchMOS™
零件状态
停產
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
50 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
900mW
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO
商品其它信息
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