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FET，MOSFET - 阵列

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PMDPB56XN,115

制造商:NXP USA Inc.
批号:最新
描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
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参数信息

参数	参数值
包装	剪切带（CT）
系列	-
零件状态	停產
FET 类型	2 N-通道（双）
FET 功能	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	3.1A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	73 毫欧 @ 3.1A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	2.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	170pF @ 15V
功率 - 最大值	510mW
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装	DFN2020-6

商品其它信息

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