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FET，MOSFET - 阵列
SI7911DN-T1-GE3参考图片

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SI7911DN-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
TrenchFET®
零件状态
停產
FET 类型
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4.2A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
51 毫欧 @ 5.7A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
15nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
1.3W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8 双
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8 双
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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