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JFET
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BSR58LT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • JFET N-CH 40V 350MW SOT23
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
40V
漏源电压（Vdss）
40V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
8mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
800mV @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
电阻 - RDS（开）
60 Ohms
功率 - 最大值
350mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）
商品其它信息
优势价格，BSR58LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5638RLRAG
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FJN598JBTA
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JFET N-CH 40V 0.625W TO92
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Vishay Siliconix
JFET
MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF
暂无价格
参考库存:53704
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