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UGBT、MOSFET - 单

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FGH75T65UPD-F155

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 650V,75A FIELD STOP TRENCH IGBT
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
不適用於新設計
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
150A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
225A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.3V @ 15V，75A
功率 - 最大值
375W
开关能量
3.68mJ（开），1.6mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
68nC
25°C 时 Td（开/关）值
42ns/216ns
测试条件
400V，75A，3 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
85ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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