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UGBT、MOSFET - 单
FGL60N100BNTD参考图片

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FGL60N100BNTD

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 1000V 60A 180W TO264
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
不適用於新設計
IGBT 类型
NPT 和沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
1000V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
120A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.9V @ 15V，60A
功率 - 最大值
180W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
275nC
25°C 时 Td（开/关）值
140ns/630ns
测试条件
600V，60A，51 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
1.2µs
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装
TO-264-3
商品其它信息
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