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UGBT、MOSFET - 单
APT150GN60LDQ4G参考图片

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APT150GN60LDQ4G

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
220A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
450A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
1.85V @ 15V,150A
功率 - 最大值
536W
开关能量
8.81mJ(开), 4.295mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
970nC
25°C 时 Td(开/关)值
44ns/430ns
测试条件
400V,150A,1 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
400V,150A,1 欧姆,15V
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-264-3,TO-264AA
供应商器件封装
TO-264 [L]
商品其它信息
优势价格,APT150GN60LDQ4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 40A 150W TO247
暂无价格
参考库存:51018
UGBT、MOSFET - 单
IGBT BIPO 600V 40A TO3P
暂无价格
参考库存:51026
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 170A 695W TO264
暂无价格
参考库存:51034
UGBT、MOSFET - 单
IGBT, 360V, 17A, 1.58V, 300MJ, D
暂无价格
参考库存:51042
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 650V 10A TO263
暂无价格
参考库存:51050
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