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UGBT、MOSFET - 单
IXGQ20N120B参考图片

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IXGQ20N120B

  • IXYS
  • 最新
  • IGBT 1200V 40A 190W TO3P
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
40A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
100A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
3.4V @ 15V,20A
功率 - 最大值
190W
开关能量
2.1mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
62nC
25°C 时 Td(开/关)值
20ns/270ns
测试条件
960V,20A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
40ns
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P
商品其它信息
优势价格,IXGQ20N120B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 56A 170W ISOPLUS247
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UGBT、MOSFET - 单
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