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UGBT、MOSFET - 单
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IXGT50N90B2D1

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参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
HiPerFAST™
零件状态
有源
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿(最大值)
900V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
75A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
75A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.7V @ 15V,50A
功率 - 最大值
400W
开关能量
4.7mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
135nC
25°C 时 Td(开/关)值
20ns/350ns
测试条件
-
反向恢复时间(trr)
200ns
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
供应商器件封装
TO-268
商品其它信息
优势价格,IXGT50N90B2D1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
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