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UGBT、MOSFET - 单

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IXBT42N170-TRL

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
BIMOSFET™
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
1700V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
300A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.8V @ 15V，42A
功率 - 最大值
360W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
188nC
25°C 时 Td（开/关）值
37ns/340ns
测试条件
850V，42A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
850V，42A，10 欧姆，15V
工作温度
850V，42A，10 欧姆，15V
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
供应商器件封装
TO-268
商品其它信息
优势价格，IXBT42N170-TRL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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