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UGBT、MOSFET - 单
IXGQ200N30PB参考图片

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IXGQ200N30PB

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参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
300V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
400A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
400A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
-
功率 - 最大值
-
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
标准
25°C 时 Td(开/关)值
-
测试条件
-
反向恢复时间(trr)
-
工作温度
-
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P
商品其它信息
优势价格,IXGQ200N30PB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
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