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UGBT、MOSFET - 单
HGT1S7N60A4DS参考图片

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HGT1S7N60A4DS

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 34A 125W TO263AB
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
34A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
56A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.7V @ 15V，7A
功率 - 最大值
125W
开关能量
55µJ（开），60µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
37nC
25°C 时 Td（开/关）值
11ns/100ns
测试条件
390V，7A，25 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
34ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
TO-263AB
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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