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UGBT、MOSFET - 单
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STGB3NB60SDT4

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
PowerMESH™
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
6A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
25A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
1.5V @ 15V，3A
功率 - 最大值
70W
开关能量
1.15mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
18nC
25°C 时 Td（开/关）值
125ns/3.4µs
测试条件
480V，3A，1 千欧，15V
反向恢复时间（trr）
1.7µs
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
商品其它信息
优势价格，STGB3NB60SDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT11GP60BDQBG
Microsemi Corporation
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暂无价格
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暂无价格
参考库存:35902
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