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UGBT、MOSFET - 单
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IKB03N120H2ATMA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
最後搶購
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
9.6A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
9.9A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.8V @ 15V，3A
功率 - 最大值
62.5W
开关能量
290µJ
输入类型
标准
栅极电荷
22nC
25°C 时 Td（开/关）值
9.2ns/281ns
测试条件
800V，3A，82 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
42ns
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
商品其它信息
优势价格，IKB03N120H2ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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