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UGBT、MOSFET - 单
FGH30N6S2参考图片

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FGH30N6S2

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 45A 167W TO247
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
45A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
108A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.5V @ 15V，12A
功率 - 最大值
167W
开关能量
55µJ（开），100µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
23nC
25°C 时 Td（开/关）值
6ns/40ns
测试条件
390V，12A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
390V，12A，10 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
商品其它信息
优势价格，FGH30N6S2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ISL9V3036D3S
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 360V 21A 150W TO252AA
暂无价格
参考库存:37266
IRGP4263-EPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 650V 90A 300W TO-247
暂无价格
参考库存:37274
IXGH28N120BD1
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 50A 250W TO247
暂无价格
参考库存:37290
IRGS4064DPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 20A 101W D2PAK
暂无价格
参考库存:37298
NGD18N40CLBT4
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 430V 15A 115W DPAK
暂无价格
参考库存:37306
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