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双极(BJT)- 单,预偏置
MUN5230T1G参考图片

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MUN5230T1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
NPN - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基底(R1)
1 kOhms
电阻器 - 发射极基底(R2)
1 kOhms
不同Ic,Vce时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
3 @ 5mA,10V
不同Ib,Ic 时的Vce 饱和值(最大值)
250mV @ 5mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
功率 - 最大值
202mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SC-70,SOT-323
供应商器件封装
SC-70-3(SOT323)
商品其它信息
优势价格,MUN5230T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
双极(BJT)- 单,预偏置
TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
暂无价格
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双极(BJT)- 单,预偏置
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双极(BJT)- 单,预偏置
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883
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双极(BJT)- 单,预偏置
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
暂无价格
参考库存:49834
双极(BJT)- 单,预偏置
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F
暂无价格
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