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双极（BJT）- 单，预偏置
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DTC115EMT2L

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
NPN - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
20mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基底（R1）
100 kOhms
电阻器 - 发射极基底（R2）
100 kOhms
不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
82 @ 5mA，5V
不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）
300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
频率 - 跃迁
250MHz
功率 - 最大值
150mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-723
供应商器件封装
VMT3
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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