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双极(BJT)- 单,预偏置
DTC143TUAT106参考图片

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DTC143TUAT106

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
-
零件状态
不適用於新設計
晶体管类型
NPN - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基底(R1)
4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基底(R2)
4.7 kOhms
不同Ic,Vce时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
100 @ 1mA,5V
不同Ib,Ic 时的Vce 饱和值(最大值)
150mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
频率 - 跃迁
250MHz
功率 - 最大值
200mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SC-70,SOT-323
供应商器件封装
UMT3
商品其它信息
优势价格,DTC143TUAT106的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
双极(BJT)- 单,预偏置
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
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双极(BJT)- 单,预偏置
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双极(BJT)- 单,预偏置
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双极(BJT)- 单,预偏置
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双极(BJT)- 单,预偏置
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
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