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双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
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UP04111G0L

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
晶体管类型
2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基底(R1)
10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)
10 千欧
不同Ic,Vce时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
35 @ 5mA,10V
不同Ib,Ic 时的Vce 饱和值(最大值)
250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
频率 - 跃迁
80MHz
功率 - 最大值
125mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SS迷你型5-F3
商品其它信息
优势价格,UP04111G0L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
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双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
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双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
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双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
NPN X 2 BRT, Q1BSR=10K?, Q1BER=I
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双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
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