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双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

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RN1969FE(TE85L,F)

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
批号:最新
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
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参数信息

参数	参数值
包装	剪切带（CT）
系列	-
零件状态	停產
晶体管类型	2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
电阻器 - 基底（R1）	47 千欧
电阻器 - 发射极基底（R2）	22 千欧
不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	70 @ 10mA，5V
不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
频率 - 跃迁	250MHz
功率 - 最大值	100mW
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装	ES6

商品其它信息

优势价格，RN1969FE(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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图片	型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
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