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UGBT、MOSFET - 单

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IXXH30N65B4D1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
XPT™,GenX4™
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
70A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
146A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.1V @ 15V,30A
功率 - 最大值
230W
开关能量
1.04mJ(开),730µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
52nC
25°C 时 Td(开/关)值
20ns/150ns
测试条件
400V,30A,15 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
65ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247AD
商品其它信息
优势价格,IXXH30N65B4D1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 78A 337W TO-247
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UGBT、MOSFET - 单
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IGBT 600V 34A 125W TO247
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UGBT、MOSFET - 单
DISC IGBT XPT-GENX3 TO-220AB/FP
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参考库存:54638
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