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UGBT、MOSFET - 单
IXGA30N120B3-TRL参考图片

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IXGA30N120B3-TRL

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参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
GenX3™
零件状态
有源
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
150A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
3.5V @ 15V,30A
功率 - 最大值
300W
开关能量
3.47mJ(开),2.16mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
87nC
25°C 时 Td(开/关)值
16ns/127ns
测试条件
960V,30A,5 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
37ns
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
TO-263(IXGA)
商品其它信息
优势价格,IXGA30N120B3-TRL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 75A 300W TO268
暂无价格
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