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UGBT、MOSFET - 单

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GT50J121(Q)

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
批号:最新
描述:IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
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参数信息

参数	参数值
包装	管件
系列	-
零件状态	停產
IGBT 类型	-
电压 - 集射极击穿（最大值）	600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	50A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	100A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）	2.45V @ 15V，50A
功率 - 最大值	240W
开关能量	1.3mJ（开）， 1.34mJ（关）
输入类型	标准
栅极电荷	标准
25°C 时 Td（开/关）值	90ns/300ns
测试条件	300V，50A，13 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）	300V，50A，13 欧姆，15V
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-3PL
供应商器件封装	TO-3P（LH）

商品其它信息

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