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UGBT、MOSFET - 单

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STGB15H60DF

制造商:STMicroelectronics
批号:最新
描述:IGBT 600V 30A 115W D2PAK
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参数信息

参数	参数值
包装	剪切带（CT）
系列	-
零件状态	有源
IGBT 类型	沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）	600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	30A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	60A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）	2V @ 15V，15A
功率 - 最大值	115W
开关能量	136µJ（开），207µJ（关）
输入类型	标准
栅极电荷	81nC
25°C 时 Td（开/关）值	24.5ns/118ns
测试条件	400V，15A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）	103ns
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装	D2PAK

商品其它信息

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